650V GAN设备对高功率应用带来了SIC挑战

Renesas Electronics已宣布其4+ Gen Super Gan平台，该平台具有650 V，30毫米氮化炮设备，用于高电动应用。该发布代表了该公司对GAN技术进行的持续投资，并与控制器和驱动IC产品线进行了移动和集成。与过去的35毫米相比，Gen 4+平台的RDS（ON）已减少14％，这直接降低了成本。开关质量开关提高了50％，而输出质量因子提高了20％以上。相比之下，与领先的硅Carbaa MOSFET和JFET相比，Renesas电子损失了10-30％的电动应用少10-30％。副总裁Primit Parikh解释说：“在任何频率上，Gan的损失都低于硅杆。” “从100 kHz范围开始，这个空间将扩展到更高的货运自由度。”当被问及将竞争与其他GAN供应商进行比较时，Parikh指出了他们的D模式体系结构：“我们所做的一切Parikh解释说。传统无法提供硅的效率和紧凑的形式。 Renesas Electronics在加利福尼亚，日本和台湾维持各种制造业的垂直地理整合。 Parikh强调说：“正如我们要说的，在氮化炮中，该过程是产品的一部分。”该公司从6英寸扩展到8英寸晶片，同时仔细评估未来的转移。 “当您从8英寸到12英寸时，您将从多芯片反应堆转到单芯片反应堆。这种经济都没关系，” Parikh向问题和回答解释说。大约1200V GAN开发，Parikh确认“我们暂时暂停了1200V的开发，因为我们专注于650、700V和我们的Ecosy系统”，同时与特定客户监控市场时机。 Renesas ElEctronics通过暂时停止硅Na Carba传输资源。帕里克说：“鉴于硅杆的动态硅，雷纳斯暂时暂停了卡宾斯。” “ Resas Electronics在Gan上的投资增加了一倍……它可能不是两倍，甚至是三倍。” Parikh说，他反映了该公司25瓦的承诺千瓦时的25瓦。现场可靠性数据表明，包括服务器电源，工业UP和太阳微型逆变器在内的各种应用程序运行超过3150亿小时。但是，Parikh承认“直到今天，大多数GAN插头都处于低功率充电器和适配器市场上”，在早期增长阶段采用了更高的功率。